2023中国电力电子与能量转换大会

暨中国电源学会第二十六届学术年会及展览会

（CPEEC & CPSSC 2023）

2023年11月10日-13日 广州

钻石合作伙伴

纳微半导体

一、 企业简介
纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）成立于2014年，是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司。GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过185项已经获颁或正在申请中的专利，其中，氮化镓功率芯片已发货超过1亿颗，碳化硅功率器件发货超1200万颗。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。

二、亮点产品

GaNSafe™高性能宽禁带半导体平台

基于升级后的第四代氮化镓技术，采用一种新型适用于氮化镓且散热优良的表贴TOLL封装，可在极端高温、长时间工作条件下提供卓越的性能支持，满足数据中心、太阳能/储能和电动汽车市场等要求苛刻的高功率应用场景需求。

特点：

•受保护的、集成闸极驱动控制，零闸极-源回路电感，可靠的高速2 MHz开关能力，以最大化提升应用的功率密度。

•快速的短路保护，自主的“检测和保护”可在50 ns内完成，比竞争对手的分立式氮化镓解决方案快4倍。

•静电放电（ESD）保护达到2 kV，而分立式的氮化镓晶体管为零。

•650 V连续和800 V瞬时耐电压能力，有助于提升芯片在特殊应用条件下的鲁棒特性。

•易于使用、高功率、高可靠性、高性能功率芯片，只有4个引脚，加速客户设计。

•可调节的开启和关闭速度（dV/dt），简化EMI的规范要求。

GeneSiC碳化硅MOSFETs

GeneSiC“沟槽辅助平面栅极”的碳化硅 MOSFET技术兼具平面和沟槽的优势，具备高效 、高速的性能。相比其他碳化硅产品，运行时的最高温度低25°C，寿命延长3倍之多。已公布的100%耐雪崩测试中其耐受能力最高、短路耐受时间延长30%、并且稳定的门极阈值电压便于并联控制。在这些优点加持下，GeneSiC MOSFET是工程师研发高功率、快速市场化的应用产品的理想之选。为多元市场（包括电动车、工业自动化、网通、电网、电动机和国防）提供高速、高效的功率转换。大批量、高质量的出货，确保应用效能、应用可靠性，最大程度保证正常运行时间。

特点：

独有、先进的集成6.5 kV技术

   » 双扩散金属氧化物半导体场效应管（DMOSFET）

   » 单片集成结势垒肖特基二极管（JBS）整流器

   » 更优秀的大功率性能

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更高效的双向性能

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   » 开关不随温度变化

   » 快速（低开关损耗）和低温（低导通损耗）

   » 长期可靠性高

   » 高功率时易于并联（VTH稳定性）

CPEEC & CPSSC 2023简介

2023中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十六届学术年会及展览会（CPEEC & CPSSC 2023） 将于2023年11月10日-13日在广州召开。会议旨在促进电力电子、能量转换与电源技术相关领域海内外学者和相关人员的学术交流， 促进产、学、研的合作，促进相关产业及产业链的技术创新和进步。会议将通过大会报告、分会场报告、专题讲座、技术报告、工业报告、墙报交流、现场展览等形式对电源各个领域的新理论、新技术、新成果、新工艺及新产品进行深入交流与研讨。会议期间还将同期举办The 2nd IEEE International Power Electronics and Application Symposium（IEEE PEAS 2023）国际会议。